Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 63
    Intorno -47% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.4 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 7.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    63 left arrow 43
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.1 left arrow 11.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.5 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1945 left arrow 2532
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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