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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
63
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3419
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Mushkin 991586 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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