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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
63
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
35
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2767
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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