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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
4001
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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