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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
2854
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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