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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2938
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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