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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
79
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
79
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
1850
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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