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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3226
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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