RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
49
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2930
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link