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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3432
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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