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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2243
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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