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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
49
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
47
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2640
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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