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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
49
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3013
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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