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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3648
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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