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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3158
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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