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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2872
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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