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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
10
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2038
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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