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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
49
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
41
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2458
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
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