RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
84
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
84
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
1614
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link