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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3473
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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