RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2978
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link