RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
49
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2374
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link