RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3905
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO M418039 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link