RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3905
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link