RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3332
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link