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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
61
En -144% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
2870
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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