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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,077.3
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
61
Por volta de -144% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
2870
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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