RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2870
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link