RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2870
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link