RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2648
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link