RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2648
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link