RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
19.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
4044
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link