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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
21.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
19.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
4044
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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