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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1860
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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