RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2703
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link