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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2346
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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