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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
10.6
15.2
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2346
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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