RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
42
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
20
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3395
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link