RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2737
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link