RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3167
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link