RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3167
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link