RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2592
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link