RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

总分
star star star star star
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 42
    左右 -14% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.6 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2423 left arrow 2592

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
内存RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
内存RAM