RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1651
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link