RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1651
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link