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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
42
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2947
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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