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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2594
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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