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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
65
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3013
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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