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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
42
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2608
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
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