RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2608
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link